場(chǎng)效應(yīng)管和mos管區(qū)別_場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)極圖解

Cmos管和場(chǎng)效應(yīng)管有什么區(qū)別

MOS管就是場(chǎng)效應(yīng)管,場(chǎng)效應(yīng)管是一種重要電子元件場(chǎng)效應(yīng)管和mos管區(qū)別，現(xiàn)在被廣泛使用,他具有和以前的電子管一樣的特性,是一種電壓控制元件,依靠電壓信號(hào)進(jìn)行放大,原理是依靠一個(gè)信號(hào)控制導(dǎo)電構(gòu)寬度從而控制導(dǎo)電性.場(chǎng)效應(yīng)管具有三個(gè)接腳.

CMOS

互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,是一種類似MOS管設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的多MOS結(jié)構(gòu)組成的電路,換句話說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)管和mos管區(qū)別 ，他是一種由無(wú)數(shù)電子元件組成的儲(chǔ)存介質(zhì),比如說(shuō),MOS是一個(gè)電子器件,而CMOS是容器場(chǎng)效應(yīng)管和mos管區(qū)別
，他可以裝數(shù)據(jù)在里邊.

CMOS是場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成

MOS管是場(chǎng)效應(yīng)管的一種么？ 和其他場(chǎng)效應(yīng)管比有什么特點(diǎn)？

MOS管全稱是MOSFET，意思是金屬絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 ，因?yàn)樗臇艠O與溝道之間有一層絕緣層而得名
，且柵極通常采用鋁金屬作為材料而得名。

它是場(chǎng)效應(yīng)管的一種（另外一種是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管） 。

與結(jié)型管相比，MOS管的輸入電阻更大 ，通過(guò)電流能力很強(qiáng)
，耐壓值也可以做到比較高，可以承受更大的功率
。但在頻率特性上面 ，MOS管的表現(xiàn)不如結(jié)型管。

因此MOS管一般被用于功率電路中，包括驅(qū)動(dòng)電路
，電源電路，大電流開(kāi)關(guān)等 。而在晶體管常用的小信號(hào)放大場(chǎng)合 ，結(jié)型管用得更多一些
。

場(chǎng)效應(yīng)管 與 MOS管 是一回事嗎？

場(chǎng)效應(yīng)管就是MOS管
，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管，MOS管可以說(shuō)是一種通俗的叫法吧 ，一些采購(gòu)工程比較喜歡叫MOS管。

至于場(chǎng)效應(yīng)管跟三極管的相似之處呢
，這個(gè)就比較專業(yè)了，我個(gè)人片面的認(rèn)識(shí)是外形相似 ，就是說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)管和三極管很多封裝是一樣的
，不過(guò)他們的內(nèi)在有很多區(qū)別，你可以在百度搜索下場(chǎng)效應(yīng)管與三極管的區(qū)別 ，有個(gè)百度文庫(kù)有介紹的 。

如何區(qū)分三極管
、場(chǎng)效應(yīng)管、MOS管？

用萬(wàn)用表的二極管檔（或1k~10k電阻檔）測(cè)量
，三極管的發(fā)射極和集電極都對(duì)基極單向?qū)?，而發(fā)設(shè)計(jì)和集電極之間互不導(dǎo)通；利用這一點(diǎn)可以確定是否三極管以及類型（PNP管或NPN管）；場(chǎng)效應(yīng)管則比較復(fù)雜 ，增強(qiáng)型和耗盡型的特點(diǎn)都不一樣，但是柵極對(duì)源極和漏極一定是不導(dǎo)通的
，MOS管也一樣，MOS管也是場(chǎng)效應(yīng)管的一種 ，只是輸入阻抗更高而已
。

場(chǎng)效應(yīng)和MOS管有什么區(qū)別呢？

1. 場(chǎng)效應(yīng)管（FET）分為MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）。現(xiàn)在主要使用MOS場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管和mos管區(qū)別
，即通常所稱場(chǎng)效應(yīng)管和mos管區(qū)別的MOS管 。2. MOS是金屬（Metal）-氧化物（Oxide）-半導(dǎo)體（Semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)管和mos管區(qū)別的簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管和mos管區(qū)別，即柵-二氧化硅-硅。JFET中的J代表Junction場(chǎng)效應(yīng)管和mos管區(qū)別 ，即“結(jié) ”
，表示PN結(jié)的結(jié)
。FET代表Field Effect Transistor，即場(chǎng)效應(yīng)管（ DMN100-7-F ）。

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，技術(shù)資料也有所不同，所以不能直接呈現(xiàn) ，有需求的客戶請(qǐng)與聯(lián)系我們洽淡13715099949/聯(lián)系13715099949/13247610001
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