mos管3個(gè)引腳哪個(gè)是gds_mos管有幾個(gè)引腳

怎么分辨場(chǎng)管的,GDS?

mos管的G與D S用萬(wàn)用表打通斷是正反接都不通，這樣可以判斷出G;D與S之間有一個(gè)PN結(jié) ，市場(chǎng)上多得是N溝道，所以測(cè)出有正向二極管特性的那兩只腳中
，正表筆接的是S極；為進(jìn)一步測(cè)試，可用萬(wàn)用表的紅筆接G ，黑筆接S
，然后將紅筆接到D上，此時(shí)萬(wàn)用表應(yīng)該顯示接近短路。說(shuō)明此時(shí)DS已經(jīng)導(dǎo)通 。P溝道的反之 ，記住萬(wàn)通表為數(shù)字萬(wàn)用表！如果是大功率的管子
，通常排列是GDS。

MOS管的管腳分辨

一般正面對(duì)你，（散熱片為背面）左起為GDS
。拿萬(wàn)用表量的話 ，S到D為正向二極管
，拿電阻檔量約為500K，二極管檔量為0.4V。另外用電阻檔量AH后 ，（紅表筆接G
，黑表筆接S）DS會(huì)通 。即接兩邊兩腳后，中間腳和另一腳會(huì)通

MOS管的引腳，G
、S、D分別代表什么？

G：gate

柵極；S：source

源極；D：drain

漏極
。N溝道的電源一般接在D
，輸出S，P溝道的電源一般接在S ，輸出D。增強(qiáng)耗盡接法基本一樣 。

晶體管有N型channel所有它稱(chēng)為N-channel

MOS管
，或NMOS
。P-channel

MOS（PMOS）管也存在，是一個(gè)由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。

擴(kuò)展資料

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體 。

MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的
，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)
。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的 ，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的 。

參考資料mos管_搜狗百科

各種mos管都是GDS的順序嗎？如果不是，都是有什么樣的順序？

各種MOS管 ，都是具有柵極（Gate
，簡(jiǎn)稱(chēng)G） 、漏極（Drain，簡(jiǎn)稱(chēng)D）
、源極（Source ，簡(jiǎn)稱(chēng)S）三個(gè)電極
。其主要的工作原理，就是通過(guò)在柵源之間電壓的改變
，控制漏源之間的電流變化；這與三極管，用基極電流控制集電極電流（Ic）是不同的。優(yōu)點(diǎn)在于 ，提供電壓控制比電流控制更容易實(shí)現(xiàn) 。由于MOS管都具有三個(gè)電極
，因此，它們的順序自然可以任意排列 ，但使用時(shí)
，一定要注意柵極G不要搞錯(cuò)了，接了錯(cuò)誤的電壓 ，容易到導(dǎo)致柵下氧化層被擊穿
，導(dǎo)致器件損壞。

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